Инновационные технологии памяти: магниторезистивная память

В магниторезистивной памяти хранение информации осуществляется путем намагничивания отдельных элементов. Крупнейшие компании, занимающиеся производством микросхем, возлагают на эту технологию большие надежды (и щедро ее финансируют). Предполагается, что MRAM, как иначе называют магниторезистивную память, обгонит по всем параметрам используемые на сегодняшний день типы памяти: она будет стабильнее и быстрее, чем flash, не будет требовать постоянного напряжения, в отличие от DRAM, а по емкости превзойдет SRAM.

Принцип действия MRAM напоминает работу жесткого диска: в зависимости от направления намагниченности отдельной ячейки памяти меняется ее сопротивление. Пропустив через ячейку ток, ее сопротивление довольно легко измерить и, таким образом, прочесть записанные данные. Однако в отличие от привычного нам жесткого диска, доступ к ячейкам магниторезистивной памяти осуществляется без помощи головки. Вместо этого производится прямая подача тока. Благодаря этому время доступа к ячейке уменьшается в миллион раз! Никакой ошибки здесь нет – в наступающий век квантовой электроники мотор жесткого диска решение столь же элегантное, как езда на паровой бричке в современной Москве.

Хотя чипы памяти на технологии MRAM уже имеются в продаже, из-за скромных характеристик (максимальная емкость чипа – 64 Мб) пока нельзя сказать о масштабном присутствии на рынке. Однако, учитывая интерес к технологии со стороны Samsung и Toshiba, можно ожидать быстрого прогресса.

Сайт дня: Ищете достойный планшет на второй nVidia Tegra? Есть хорошие решения от Acer. Например, на Acer Iconia A500 цена составляет около 15 тысяч рублей: http://www.sotino.ru/acer_iconia_a500.asp.