Toshiba и Intel готовят SSD-накопители на основе 3D NAND

Многие компании работают в отрасли увеличения ёмкости популярных сейчас SSD-накопителей. К примеру, недавно Toshiba и Intel независимо друг от друга представили свои последние разработки, которые могут повлиять на будущий рынок накопителей. Обе компании представили чипы памяти, изготовленные по совсем новой технологии 3D NAND.

Отличием этой технологии от других видов является технология ячеек памяти, которые располагаются несколькими слоями. Это ведёт к возможности создания накопителей с увеличенным объёмом памяти. Так, руководители Toshiba уже заявили о создании 48-слойного NAND-чипа, объём которого достигает 16 гигабайт, при этом он обладает высокой скоростью работы и чрезвычайно надёжен. Также стало известно, что благодаря новейшим разработкам ячейки памяти оказались самыми маленькими – 15 нм. Пока что Toshiba разослала тестовые образцы будущим партнёрам, новые же образцы будут представлены через год, после того, как будут завершены тендеры на разработку.

Что касается Intel, то в сотрудничестве с Micron был налажен выпуск 32-слойных чипов, где используются ячейки с так называемым плавающим затвором. Накопители имеют объём 32 и 64 гигабайта. Благодаря новым технологиям получится создать накопители до 3,5 Тб стандарта M.2 PCIe и 2,5-дюймовые объёмом до 10 терабайт. Эта технология даст возможность двум компаниям приблизиться к другому производителю накопителей – Samsung, который уже длительное время её использует. Это скажется и на рынке, где могут появиться более доступные накопители.